cb34f7d2

EUV-литография придет в массы с 7-нм техпроцессом

Организация ASML, основной мировой создатель технического оснащения для литографии, например, проекционных агрегатов шагового мультиплицирования, поделилась собственными взглядами на формирование техпроцесса производства накопленных микросхем в ближайшее время. По её словам, до этих большинство чипмейкеров при производстве 10-нм моделей предпочитают применять стандартную иммерсионную фотолитографию. Система литографии с использованием последнего уф-излучения который год регулярно оставляет собственный доход на рынок. И для этого есть причины.

Основным условием, который дает возможность до сегодняшнего дня использовать иммерсионную фотолитографию, считается сравнительно дешевизна технического оснащения и всего процесса в общем. Так, к примеру, приблизительная стоимость EUV-степперов составляет от $100 до $120 млрд, что в два раза выше ценников на “иммерсионные” установки мультиплицирования. Ради справедливости необходимо отметить, что EUV-оборудования считается модульным, другими словами дает возможность делать его апдейт по низкой стоимости, а не покупать целиком свежие установки. А данного очевидно мало для того, чтобы серьезно заинтриговать чипмейкеров, которым пока процесс с применением иммерсионной литографии пока обходится выгоднее “необычного ультрафиолета”.

Механизм работы EUV-оборудования, ресурс Sandia National Laboratories

Механизм работы EUV-оборудования, ресурс Sandia National Laboratories

Картина должна поменяться с появлением в массы 7-нм технического процесса. А вначале изготовители накопленных микросхем протестируют возможности EUV-оборудования на 10-нм технологии. Топологический объем в 10 нанометров для наиболее важных операций литографии будет требовать многократного проецирования картинки на пластинку — 3 либо даже 4 возобновления. Значит, растут траты на выполнение технического процесса, что ведёт к удорожанию конечной продукции. Вот как раз в такой ситуации чипмейкерам надо будет заботливее глядеть к EUV-литографии. Понижение себестоимости технического процесса будет не менее значительным условием, чем большие расценки на оснащение.

Кремниевая пластинка после EUV-литографии, ресурс Sandia National Laboratories

Кремниевая пластинка после EUV-литографии, ресурс Sandia National Laboratories

Когда же дело дойдёт до изготовления 7-нм накопленных моделей, тогда иммерсионная автография целиком будет невыгодной. Для автономных оболочек число итераций возрастёт до 13-ти при применении иммерсионных степперов. Техническое оснащение с использованием последнего ультрафиолета будет исключительно вероятным видом, давая возможность производить до 1000 кремниевых пластинок в день. Разумеется, на пути победного шествия EUV-технологии ещё есть ряд осложнений, начиная от неимения довольно надёжных и производительных источников излучения, заканчивая потребностью конструктивного понижения дефектности фотошаблонов и потребностью поиска свежих резистов. А в итоге, технические и технологические проблемы скорее всего будут пройдены, и EUV-литография займет преобладающее положение на рынке. И точкой отсчета будет переход на 7-нм процесс.

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий